阿爾卑斯電氣和North日前宣布，正在聯(lián)合開發(fā)在LSI封裝的內部底板中封裝高電容率薄膜電容器（Thin Film Capacitor）的技術。目標是三年內將其應用于產品中。阿爾卑斯電氣認為“工作頻率在數(shù)GHz～10GHz以上的高速邏輯LSI必須使用這種技術”。
此次開發(fā)的技術就是指將過去封裝在LSI封裝外部的去耦電容器（Decoupling Capacitor）封裝到內部。由此將會最大限度地縮短電容器與倒裝芯片之間的距離。由于封閉內部布線的寄生感應（Parasitic Inductance）減小了，因此開關時就可迅速向倒裝芯片供應電荷。結果就能使電源電壓更加穩(wěn)定。
面向微處理器和芯片組的電容器內置型底板的試產已經完成。即將開始客戶測試。底板中內置的薄膜電容器的材料和相對電容率 （Relative Permittivity）沒有公布?！霸诒∧る娙萜鞯娜萘糠矫妫形催_到完全滿足客戶要求的水平。不過，可在將來產品中使用了材料方面已經有了眉目”（阿爾卑斯電氣）。
據阿爾卑斯電氣稱，之所以選擇North進行聯(lián)合開發(fā)，原因是該公司的印刷電路板技術非常適合高速LSI。因為North的技術在布線層之間的連接材料上使用的是非焊膏材料的散裝銅焊接凸起。比如“ALIVH”和“B2it”等現(xiàn)有印刷電路板，布線層之間的連接材料分別使用的是銅和銀類焊膏材料。普通焊膏材料的電阻率比散裝金屬材料高數(shù)十倍。在保持相同的感應和電容條件下，電阻率越高、信號延遲時間就越長。因此就很難進行高速傳輸。
來源：中國機電網
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