3.3電暈衰減與環(huán)境溫度有關(在速度、厚度、原料配方、電暈處理強度等相同的條件下比較),做圖5、6:環(huán)境溫度為8度 數(shù)據(jù)表511.114511.254211.124412.114211.134312.164111.194312.3041環(huán)境溫度為28度 數(shù)據(jù)表68.26459.2418.27439.10408.28429.18408.31 42 9.2540 環(huán)境溫度越高,環(huán)境傳送給分子的能量越高,熱能轉(zhuǎn)化為分子的動能和勢能,導致膜表面極性基團及遷移添加劑分子的快速移動,所以處于環(huán)境溫度越高處的膜較低溫放置的膜電暈衰減快?! ?.4電暈衰減與原料(具有遷移性添加劑)配方有關(在速度、厚度、電暈處理強度、環(huán)境等相同的條件下比較) 3.4.1相同的添加劑,不同的配比,做圖7、8:PP-AS-EF配比1.0% 數(shù)據(jù)表7 9.7459.26399.8 4010.27389.9 3911.10389.103912.738PP-AS-EF配比1.7% 數(shù)據(jù)表86.26457.937.56.27417.18 37.57.2397.2537.57.6398.26 37 移性添加劑分子遷移到膜的表面,一方面破壞了表面的粘糙結(jié)構(gòu),另一方面這種分子的存在并不利于油墨或膠粘劑的吸附,而加工薄膜時加入的添加劑配比直接影響著可遷移性分子的含量,所以,相同的添加劑,配比越大,對應的膜電暈衰減越快。(未完待續(xù))
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