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用絲印技術(shù)制備薄膜微電極的方法研究(下)

2010/9/2 7:03:10 人評(píng)論

3. 3 感光膠的涂布和絲網(wǎng)的洗滌方式

    感光膠的涂布很有技巧,多次涂布法[ 7 ]費(fèi)時(shí)費(fèi)力又易出問(wèn)題,如干燥不均導(dǎo)致分層。本研究對(duì)其進(jìn)行改進(jìn),只涂一次,簡(jiǎn)單易行。在對(duì)絲網(wǎng)進(jìn)行洗滌以除去油污和灰塵時(shí),文獻(xiàn)[ 6 ]采用10% NaOH水溶液泡洗的辦法,操作有一定危險(xiǎn)性,且對(duì)網(wǎng)框有損傷。本研究采用洗滌靈自來(lái)水洗的辦法,安全有效。

3. 4 曝光時(shí)間對(duì)顯影的影響

    曬網(wǎng)的關(guān)鍵是時(shí)間。時(shí)間太短,感光膠曝光不足,在顯影時(shí)易于脫落;時(shí)間太長(zhǎng),又會(huì)使圖案邊緣模糊,細(xì)微部分甚至不能顯影,導(dǎo)致制版失敗。表2是不同曝光時(shí)間對(duì)顯影的影響情況。


3. 5 顯影時(shí)間

    顯影是將曬好的圖像顯現(xiàn)出來(lái)的重要步驟。常規(guī)絲網(wǎng)印刷都采用水沖顯影法,此法顯影速度快、效率高。但由于水的沖力較大,絲網(wǎng)上圖案的細(xì)微部分就會(huì)被損壞。

    實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)用自來(lái)水浸泡絲網(wǎng)靜止顯影的方法更適用于細(xì)微部分的顯影完整。而且顯影時(shí)間的長(zhǎng)短,還可以控制網(wǎng)上所附著的感光膠的厚度,從而影響所印制的電極膜的厚度。對(duì)比不同的顯影時(shí)間對(duì)感光膜厚度的影響,結(jié)果見(jiàn)表3。實(shí)驗(yàn)選取5 h左右的顯影時(shí)間,此時(shí)得到的膜厚比較適中,且未感光部分暴露徹底,符合后續(xù)工作要求。

 
3. 6 堅(jiān)膜時(shí)間

    堅(jiān)膜是對(duì)顯影后的膠膜進(jìn)行再次曝光的過(guò)程。經(jīng)過(guò)堅(jiān)膜,未脫落的膠膜可更好的粘附于絲網(wǎng)上,防止在以后的印刷中膠膜脫落。堅(jiān)膜時(shí)間以絲網(wǎng)外表面的感光膠能充分曝光為好,時(shí)間不能太短,參照第一次的曝光時(shí)間,為確保充分曝光,實(shí)驗(yàn)取初次曝光時(shí)間的3倍為堅(jiān)膜時(shí)間,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明可達(dá)到要求。堅(jiān)膜時(shí)間再長(zhǎng)些也無(wú)妨。

3. 7 網(wǎng)膜與承印物之間的距離和刮漿次數(shù)

    印刷時(shí)應(yīng)注意網(wǎng)膜與承印物之間的距離,一般以3~4 mm為宜。間隙太小,承印物易與網(wǎng)膜粘連,致使圖案模糊;間隙太大,又會(huì)使待印漿料無(wú)法完全印至承印物上,致使圖案殘缺。刮板刮漿次數(shù)一般1次就行,最多2次。次數(shù)過(guò)多會(huì)使圖案模糊,細(xì)微部分會(huì)發(fā)生連接,導(dǎo)致印刷失敗。每一步印制過(guò)后,都要置于烘箱中加熱干燥,以使?jié){料中的溶劑揮發(fā)完全,并使?jié){料與承印物固著完全,防止影響后續(xù)印刷過(guò)程和避免各漿料重疊部分的過(guò)度擴(kuò)散,從而保證電極優(yōu)良的導(dǎo)電性能。

3. 8 電化學(xué)檢驗(yàn)

    電極可逆性的判斷,如圖2所示。在0. 2~0. 5 V間循環(huán)伏安掃描4次,正掃時(shí)有一陽(yáng)極峰(A1、A2 ) ;反掃時(shí)有一陰極峰(C1、C2 ) , ipa / ipc < 1,ΔEp = 91 mV,即可認(rèn)為該實(shí)驗(yàn)條件下鐵氰化鉀在絲網(wǎng)印刷微電極上的氧化還原反應(yīng)為不可逆過(guò)程。兩次掃描所得氧化還原峰基本重合,可見(jiàn),絲網(wǎng)印刷所制得的微電極穩(wěn)定性好。另外,較高的峰電流表明此電極靈敏度較高,具優(yōu)良的電化學(xué)性能。
 




作者/張 君1, 2  郭 偉3  袁倬斌3 1, 2
1 (中國(guó)科學(xué)院研究生院應(yīng)用化學(xué)研究所,北京100049)
2 (中國(guó)科技大學(xué)研究生院應(yīng)用化學(xué)研究所,北京100049)
3 (中國(guó)科學(xué)院生態(tài)環(huán)境研究中心,北京100085)

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