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高密度互連結構可以采用不同的技術實現(xiàn)，通常是利用對已有技術進行改進，像印刷線路板(PWB)、共燒陶瓷或薄膜技術。這些技術都各有其優(yōu)缺點，就高互連密度和最佳電氣性能而言，一般都認為多層薄膜技術是最佳選擇，使用這一技術后，線寬和線距尺寸可以很容易達到20um甚至10um，而且只需使用兩層細線布線層就能實現(xiàn)密度非常高的互連結構。 　　這些薄膜結構一般制作在硅玻璃、陶瓷甚至金屬基底上，基底只作為薄膜的載體。將裸片裝配到這種基底上后，基底本身還需封裝一次，會增加整個系統(tǒng)的費用。相對于層壓或陶瓷高密度基板而言，這是一個很大的缺點，后者可以作為球柵陣列(BGA)的中間基板，除了進行過塑壓和焊球粘結外，不需要再做任何其它封裝。 　　IMEC目前正在開發(fā)一種很有前途的替代技術，它將薄膜的高密度互連性能與先進組合層壓板技術結合在一起，這種被稱為MCM-SL/D的技術在一塊依次層壓制成的PWB頂部生成薄膜。由于使用了一種新工藝，因此基板頂面可以做得很平，以便作進一步薄膜處理。層壓板的中心層一般只用于作為電源層和地層，以及實現(xiàn)正反面電氣連接。元器件可以安裝在基板的正面，最好是用倒裝芯片或引線粘接(邦定)，或者是CSP(芯片級封裝)工藝；基板的反面可裝配焊球或細間距連接器，實現(xiàn)到下一級的電氣連接。 　　如今迅猛發(fā)展的無線通信市場更加刺激了新型封裝的進步。無線通信技術正迅速向高頻寬帶應用領域發(fā)展，這對小型化技術和用于這些通信系統(tǒng)的RF前端元件提出了更高要求，具有高頻特性和優(yōu)秀性能的小型化集成技術將非常有用。這一技術特別適用于實現(xiàn)電感集成，也許既能滿足電感集成要求又能實現(xiàn)完全高頻前端系統(tǒng)集成的只有薄膜多層或MCM-D技術。IMEC的MCM-D技術使用低損耗玻璃基板，在這塊基板上集成無源元件，像電阻、電容、電感等等，此外還使用一種CPW(共面波導)技術，有了它可以不用進行晶圓背面處理和背面減薄，從而降低了費用。這里的基板不需要打通孔，非常適合于有源器件或芯片進行倒裝芯片安裝，采用這一技術后集成電感的品質因子可高達150，頻率范圍為1～10GHz。 　　由于該技術具有很高的再現(xiàn)性而且和陶瓷基板相比能集成更多無源器件，所以這種在玻璃上生長薄膜的新技術是實現(xiàn)RF和微波電路低成本集成的一種可選方案。IMEC開發(fā)了一整套MMIC(單片微波集成電路)類型設計庫，能夠提供等效模型和自動布線特性，可以在有源設計和無源集成之間作完全并行設計。這一模型在頻率高達50GHz時仍具有很高精度，由于具有精確的模擬特性，故能使設計“一次成功”。我們在這種設計環(huán)境下已開發(fā)出了一些實際的微波器件，如5.2GHz帶通濾波器、3～5GHz不平衡變壓器及7±0.5GHz Wilkinson功率分配器等等。此外還開發(fā)出一些純微波電路，如5GHz WLAN(無線局域網(wǎng))用的5GHz接收器前端等。目前正在研究用層壓板技術替代玻璃基板，以降低整個系統(tǒng)的費用；另外一些研究朝著更高頻段發(fā)展，希望能將天線集成進來，這一技術將產(chǎn)生更多新型應用，如汽車防撞雷達等。 倒裝芯片再布線技術 　　因為使用倒裝芯片可以獲得非常高的芯片-基板互連密度，所以業(yè)界對倒裝芯片的興趣增長很快。近幾年開發(fā)的倒裝芯片凸焊點制造技術，都是在周邊焊盤區(qū)上直接生成凸焊點或可焊金屬化結構，用絲網(wǎng)印刷焊膏制造的凸焊點可用于I/O間距小至200um的芯片，當前IC的復雜程度以每年35～50%的速度增長，這也意味著引線腳數(shù)在快速增長(每年13～20%)。 　　大多數(shù)IC仍采用周邊式焊盤設計，I/O間距己降至60甚至40um，電鍍凸焊點可用于I/O間距小于200um的芯片。雖然線焊設備可以處理這些小間距(低至40um)芯片，但一般日用品用這種高密度線路板太過昂貴，因此現(xiàn)在普遍使用再布線技術作為一種經(jīng)濟的解決方案。再布線技術可以對周邊焊盤的間距進行重新布置，以便使用低成本線路板和基板以及常用的I/O焊盤形狀。 　　再布線技術一般要使用4塊掩模板，一塊用于第一層介質，一塊用于再布線走線的金屬化層，第三塊用于第二層介質(焊料掩模)，最后一塊用于倒裝芯片焊盤和凸焊點的焊點下金屬化(UBM)制作。IMEC開發(fā)了一種新技術，可以將再布線走線和UBM一步完成，將掩模數(shù)目由4塊減少至3塊，從而降低倒裝芯片成本，使之在費用上可以與采用引線焊接的芯片相當。   來源;《電子工程專輯》